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这个专利公开号为CN116266536A，涉及的专利名称为“晶体管的制备方法和晶体管”，用于制备芯片基础单元晶体管的。
专利摘要显示，本申请晶体管的制备方法，利用在蚀刻层间介质层进行开设槽型孔的过程中一并蚀刻去除所述虚拟栅极，并利用槽型孔形成金属栅极。
相比现有高介电常数金属栅极制备工艺，可节省工艺步骤，降低工艺成本。
具体方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上依次层叠形成氧化物介质层、高K介质层、虚拟栅极；在半导体衬底中开设凹槽，并在凹槽中形成源极和漏极；
形成覆盖半导体衬底和虚拟栅极的层间介质层；在层间介质层中形成分别对准源极和漏极的通孔和对准虚拟栅极的槽型孔，在形成槽型孔的过程中去除虚拟栅极；
在槽型孔和通孔中形成导电金属材料。本申请还提供应用该方法制得的晶体管。
